热反应腔室的制作方法

本公开涉及半导体设备，尤其涉及一种热反应腔室。

背景技术：

1、为了提高晶圆的性能，在新一代半导体热处理设备中开发出了低压快速热反应腔室，该腔室包括上下石英板，中间的四周金属腔室组成，石英板外侧使用金属外盖板固定。晶圆处于反应腔室中，通过高温进行快速化学反应，以提高晶圆的物理性能。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种热反应腔室，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的一个方面，本公开实施例提供一种热反应腔室，包括：

3、腔室主体；

4、第一外板和第二外板，第一外板和第二外板分别被固定至腔室主体的第一侧和第二侧；

5、第一内板和第二内板，位于第一外板和第二外板之间，其中第一内板包括第一外围和被第一外围环绕的第一内板主体，且第一内板在第一外围处与腔室主体和第一外板两者固定连接，第二内板包括第二外围和被第二外围环绕的第二内板主体，且第二内板在第二外围处与腔室主体和第二外板两者固定连接；

6、反应腔，由第一内板、第二内板和腔室主体限定；

7、被定位在第一外围处的第一密封单元，包括：分别设置在第一内板的第一侧和第二侧的第一密封圈对和第二密封圈对，第一密封圈对设置在形成于第一外板的密封圈槽中并抵靠第一内板的第一侧，第二密封圈对设置在形成于腔室主体的第一侧上的密封圈槽中并抵靠第一内板的第二侧；

8、被定位在第二外围处的第二密封单元，包括：分别设置在第二内板的第一侧和第二侧的第三密封圈对和第四密封圈对，第三密封圈对设置在形成于腔室主体的第二侧上的密封圈槽中并抵靠第二内板的第一侧，第四密封圈对设置在形成于第二外板的密封圈槽中并抵靠第二内板的第二侧；

9、其中，反应腔由第一密封单元和第二密封单元密封；以及

10、其中，第一内板主体包括沿平行于内板长度的第一方向位于两侧的第一部段和介于两个第一部段之间的第二部段，第二内板主体包括沿平行于内板长度的第一方向位于两侧的第一部段和介于两个第一部段之间的第二部段；以及

11、其中，沿垂直于第一方向的第二方向，第一内板的第二部段自第一内板的两个第一部段朝向第一外板延伸，第二内板的第二部段自第二内板的两个第一部段朝向第二外板延伸。

12、在一种可能的实现方式中，每个内板的第二部段包括第一曲面过渡部和介于第一曲面过渡部之间的水平段；在第二部段的第一曲面过渡部与第一部段之间形成第二曲面过渡部。

13、在一种可能的实现方式中，第一内板的第一外围和第二内板的第二外围是非透明的；每个内板的第二部段的水平段是透明的。

14、在一种可能的实现方式中，第一外板包括第一窗口，沿第二方向，第一内板的第二部段的至少一部分延伸到第一窗口中；第二外板包括第二窗口，沿第二方向，第二内板的第二部段的至少一部分延伸到第二窗口中。

15、在一种可能的实现方式中，沿第一方向，第一外板与第一内板的第二部段之间具有第一间距，第二外板与第二内板的第二部段之间具有第二间距，其中第一间距与第二间距相同；以及

16、沿第二方向，第一外板与第一内板的第一部段之间具有第一距离，第二外板与第二内板的第一部段之间具有第二距离，其中第一距离与第二距离相同。

17、在一种可能的实现方式中，沿第一方向，第一密封圈对中的两个密封圈之间具有第一间隔，第二密封圈对中的两个密封圈之间具有第二间隔，第三密封圈对中的两个密封圈之间具有第三间隔，第四密封圈对中的两个密封圈之间具有第四间隔，其中第一间隔、第二间隔、第三间隔和第四间隔相同。

18、在一种可能的实现方式中，还包括：

19、第一限位件，第一限位件至少设置在第一外围的外周壁，以限制第一内板与第一外板和/或腔室主体直接接触；以及

20、第二限位件，第二限位件至少设置在第二外围的外周壁，以限制第二内板与第二外板和/或腔室主体直接接触。

21、本公开实施例采用上述技术方案可以降低石英板失效的风险。

22、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

技术特征：

1.一种热反应腔室，包括：

2.根据权利要求1所述的热反应腔室，其中，所述每个内板的所述第二部段（230、330）包括第一曲面过渡部（231、331）和介于第一曲面过渡部（231、331）之间的水平段（232、332）；在所述第二部段（230、330）的所述第一曲面过渡部（231、331）与所述第一部段（220、320）之间形成第二曲面过渡部（233、333）。

3.根据权利要求2所述的热反应腔室，其中，所述第一内板（20）的所述第一外围（210）和所述第二内板（30）的所述第二外围（310）是非透明的；每个内板的所述第二部段（230、330）的所述水平段（232、332）是透明的。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的热反应腔室，其中，所述第一外板（40）包括第一窗口，沿所述第二方向，所述第一内板（20）的所述第二部段（230）的至少一部分延伸到所述第一窗口中；所述第二外板（50）包括第二窗口，沿所述第二方向，所述第二内板（30）的所述第二部段（330）的至少一部分延伸到所述第二窗口中。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的热反应腔室，其中，沿所述第一方向，所述第一外板（40）与所述第一内板（20）的所述第二部段（230）之间具有第一间距，所述第二外板（50）与所述第二内板（30）的所述第二部段（330）之间具有第二间距，其中所述第一间距与所述第二间距相同；以及

6.根据权利要求1-3中任一项所述的热反应腔室，其中，沿所述第一方向，所述第一密封圈对（61）中的两个密封圈之间具有第一间隔，所述第二密封圈对（62）中的两个密封圈之间具有第二间隔，所述第三密封圈对（63）中的两个密封圈之间具有第三间隔，所述第四密封圈对（64）中的两个密封圈之间具有第四间隔，其中所述第一间隔、所述第二间隔、所述第三间隔和所述第四间隔相同。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的热反应腔室，还包括：

技术总结
本公开实施例提供一种热反应腔室，包括：腔室主体；第一外板和第二外板；第一内板和第二内板，位于第一外板和第二外板之间，其中第一内板包括第一外围和被第一外围环绕的第一内板主体，第二内板包括第二外围和被第二外围环绕的第二内板主体；被定位在第一外围处和第二外围处的第一密封单元和第二密封单元；以及第一内板主体和第二内板主体分别包括沿平行于内板长度的第一方向位于两侧的第一部段和介于两个第一部段之间的第二部段；以及沿垂直于第一方向的第二方向，第一内板的第二部段自第一内板的两个第一部段朝向第一外板延伸，第二内板的第二部段自第二内板的两个第一部段朝向第二外板延伸。本公开实施例的技术方案可以降低石英板失效的风险。

技术研发人员：曹红波,庞云玲,蒙小刚
受保护的技术使用者：北京屹唐半导体科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23