一种边缘型MoSi相移掩膜版及其制备方法与流程
本发明涉及显示，具体涉及一种边缘型mosi相移掩膜版及其制备方法。
背景技术：
1、相移掩膜技术是光学光刻中的重要波前工程技术，对于特定投影光刻系统，数值孔径已经确定，如何在现有的条件下实现更高的光刻分辨率和改善图形质量，可以通过改变掩膜的相位分布来减少或降低掩膜图形的空间频率分布，同时确保可以获得相同的成像效果，从而降低图形通过成像系统时的高频信息丢失，获得更理想的成像效果。
2、相移掩膜版包括交替型移相掩模版、衰减式相移掩膜版、边缘型mosi相移掩膜版、铬型相移掩膜版、全透明相移掩膜版、亚波长相移掩膜版和复合相移掩膜版。边缘型mosi相移掩膜版通常在制造上所需的工艺比较复杂，需要用到两次光刻工艺，且需要用到二次对位光刻功能，而二次对位光刻对套刻精度的要求极高，套刻精度偏差波动过大，就会导致工艺失败，产品报废。光刻机的二次对位功能通常是需要额外的付费使用，且费用非常昂贵。二次光刻这种工艺制造周期较长，是单次光刻工艺的两倍以上的时间。并且现有的。边缘型mosi相移掩膜版的套合精度较差。
3、因此，需要一种制造难度低、制造周期短且套合精度高的边缘型mosi相移掩膜版。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是现有的相移掩膜版套合精度低，制造难度高且制造周期长。
2、一方面，本发明提供一种边缘型mosi相移掩膜版，其具有线宽小、均匀性好和套合精度高的优点。
3、另一方面，本发明提供一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，能够降低边缘型mosi相移掩膜版的制造难度和缩短制造周期。
4、本发明通过下述技术方案实现：
5、一种边缘型mosi相移掩膜版，包括
6、衬底，用于提供承载；
7、第一掩膜层，覆盖在衬底上，用于保护衬底，第一掩膜层开设有第一开口；
8、第二掩膜层，覆盖在第一掩膜层，用于对第一掩膜层遮光，第一掩膜层在第一开口对应位置开设有第二开口，第二开口边缘长度大于第一开口边缘长度。
9、作为一种可能的设计，上述第二开口边缘到第一开口边缘的宽度为0.4～0.8um。
10、作为一种可能的设计，上述衬底为石英材质，第一掩膜层为钼化硅层，第二掩膜层金属铬层。
11、作为一种可能的设计，上述第一掩膜层厚度为80～140nm，第二掩膜层厚度为75～135nm。
12、一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，包括如下步骤：
13、将基板进行曝光处理；
14、曝光后的基板进行显影处理；
15、显影后的基板进行一次铬蚀刻；
16、一次铬蚀刻后的基板进行钼化硅蚀刻；
17、钼化硅蚀刻后的基板进行二次铬蚀刻；
18、将所述钼化硅蚀刻后的基板清洗后，得到边缘型mosi相移掩膜版。
19、作为一种可能的设计，上述基板包括依次层叠设置的衬底、钼化硅掩膜层、铬掩膜层和光刻胶层。
20、作为一种可能的设计，上述一次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对显影后的基板喷洒纯水和显影液。
21、作为一种可能的设计，上述一次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对显影后的基板喷洒纯水和铬蚀刻液。
22、作为一种可能的设计，上述钼化硅蚀刻具体是在旋转条件下，对一次铬蚀刻后的基板喷洒纯水和钼化硅蚀刻液。
23、作为一种可能的设计，上述二次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对钼化硅蚀刻后的基板喷洒纯水和铬蚀刻液。
24、本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
25、本发明提供的边缘型mosi相移掩膜版的套合精度高，线宽小，可以确保在光刻过程中与之前的层完美对齐，减少图案错位和缺陷的产生，有助于提高产品的良率，降低废品率，从而增强整体生产的经济效益，还有助于实现更高的集成度和更优异的性能，使集成电路具有更高的可靠性。
26、本发明通过将显影后的基板依次进行一次铬蚀刻、钼化硅蚀刻和二次铬蚀刻，利用钼化硅掩膜层和铬掩膜层两张膜层的化学性质差异，需要用到不同的蚀刻药液进行蚀刻，且两者互不反应，同时，利用了湿法蚀刻的各向同性原理，蚀刻液在垂直方向蚀刻膜的同时，水平方向也会进行蚀刻，通过调整优化蚀刻工艺步奏的方式，实现了只需单次曝光多次蚀刻的方式就可以制备出边缘型mosi相移掩膜版，极大的节约了制作时间和制造成本。
技术特征：
1.一种边缘型mosi相移掩膜版，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的一种边缘型mosi相移掩膜版，其特征在于，所述第二开口边缘到第一开口边缘的宽度为0.4～0.8um。
3.根据权利要求1所述的一种边缘型mosi相移掩膜版，其特征在于，所述衬底为石英材质，所述第一掩膜层为钼化硅层，所述第二掩膜层金属铬层。
4.根据权利要求1所述的一种边缘型mosi相移掩膜版，其特征在于，所述第一掩膜层厚度为80～140nm，所述第二掩膜层厚度为75～135nm。
5.一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，所述基板包括依次层叠设置的衬底、钼化硅掩膜层、铬掩膜层和光刻胶层。
7.根据权利要求5所述的一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，所述一次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对显影后的基板喷洒纯水和显影液。
8.根据权利要求5所述的一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，所述一次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对显影后的基板喷洒纯水和铬蚀刻液。
9.根据权利要求5所述的一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，所述钼化硅蚀刻具体是在旋转条件下，对一次铬蚀刻后的基板喷洒纯水和钼化硅蚀刻液。
10.根据权利要求5所述的一种边缘型mosi相移掩膜版的制备方法，其特征在于，所述二次铬蚀刻具体是在旋转条件下，对钼化硅蚀刻后的基板喷洒纯水和铬蚀刻液。
技术总结
本发明公开了一种边缘型MoSi相移掩膜版及其制备方法，涉及显示技术领域。一种边缘型MoSi相移掩膜版，包括衬底，用于提供承载；第一掩膜层，覆盖在衬底上，用于保护衬底，第一掩膜层开设有第一开口；第二掩膜层，覆盖在第一掩膜层，用于对第一掩膜层遮光，第一掩膜层在第一开口对应位置开设有第二开口，第二开口边缘长度大于第一开口边缘长度。本发明提供的边缘型MoSi相移掩膜版的套合精度高，线宽小，可以确保在光刻过程中与之前的层完美对齐，减少图案错位和缺陷的产生，有助于提高产品的良率，降低废品率，从而增强整体生产的经济效益，还有助于实现更高的集成度和更优异的性能，使集成电路具有更高的可靠性。
技术研发人员：李刚,郑宇辰,孙多卫
受保护的技术使用者：成都路维光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23