一种恒温水浴槽的制作方法

本发明涉及水浴槽，特别涉及一种恒温水浴槽。

背景技术：

1、水浴槽是一种用于提供恒定温度环境的设备，水浴槽通常由槽体、加热器、温度控制器和循环系统组成。槽体内盛放一定量的水或其他液体介质，加热器负责将介质加热到设定温度，温度控制器则确保介质温度维持在恒定范围内。现有水浴槽一般采用加热管进行加热，其温度调控的精度较低，无法满足需求，并且现有设备将水浴槽与酸碱槽分开设计，导致设备体积较大，不便移动。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种恒温水浴槽，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种恒温水浴槽，包括柜体，所述柜体内固定连接有温控器，温控器电性连接有半导体制冷器，柜体的顶端设置有壳体，且半导体制冷器固定连接于壳体内，壳体上表面设置有酸碱槽，酸碱槽的一侧设置有水浴槽本体，水浴槽本体顶端设置有槽盖，酸碱槽和水浴槽本体内均安装有烧杯，酸碱槽和水浴槽本体上均导通连接有管道。

3、优选的，两个所述烧杯顶端均设置有杯盖。

4、优选的，两个所述杯盖上均固定连接有温度探头，且温度探头电性连接于温控器上。

5、优选的，两个所述烧杯上均套接有隔离罩，且隔离罩设置于壳体上表面。

6、优选的，所述酸碱槽和水浴槽本体下表面均固定连接有电热管，且电热管电性连接于温控器上。

7、优选的，所述温控器上固定连接有报警器。

8、优选的，所述柜体内设置有容纳腔，且温控器固定连接于容纳腔内。

9、优选的，所述柜体底部四角均固定连接有移动轮，柜体的两侧外壁上均固定连接有扶手。

10、优选的，所述柜体上安装有柜门，柜门上固定连接有合页，且合页固定连接于柜体上。

11、优选的，所述壳体底部四角均设置有垫块，且垫块固定连接于柜体上表面。

12、本发明提供的一种恒温水浴槽，其优点在于：本发明采用温控器结合半导体制冷器和电热管实现温度调控，较之现有设备具有更高的调温精度，同时本发明将水浴槽与酸碱槽采用整合式设计，减小了设备的体积，更加便于移动。

技术特征：

1.一种恒温水浴槽，包括柜体(1)，其特征在于：所述柜体(1)内固定连接有温控器(23)，温控器(23)电性连接有半导体制冷器(24)，柜体(1)的顶端设置有壳体(2)，且半导体制冷器(24)固定连接于壳体(2)内，壳体(2)上表面设置有酸碱槽(22)，酸碱槽(22)的一侧设置有水浴槽本体(25)，水浴槽本体(25)顶端设置有槽盖(26)，酸碱槽(22)和水浴槽本体(25)内均安装有烧杯(3)，酸碱槽(22)和水浴槽本体(25)上均导通连接有管道(32)。

2.根据权利要求1所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：两个所述烧杯(3)顶端均设置有杯盖(31)。

3.根据权利要求2所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：两个所述杯盖(31)上均固定连接有温度探头(33)，且温度探头(33)电性连接于温控器(23)上。

4.根据权利要求2所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：两个所述烧杯(3)上均套接有隔离罩(28)，且隔离罩(28)设置于壳体(2)上表面。

5.根据权利要求1所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述酸碱槽(22)和水浴槽本体(25)下表面均固定连接有电热管(27)，且电热管(27)电性连接于温控器(23)上。

6.根据权利要求5所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述温控器(23)上固定连接有报警器(29)。

7.根据权利要求1所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述柜体(1)内设置有容纳腔(15)，且温控器(23)固定连接于容纳腔(15)内。

8.根据权利要求7所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述柜体(1)底部四角均固定连接有移动轮(11)，柜体(1)的两侧外壁上均固定连接有扶手(12)。

9.根据权利要求8所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述柜体(1)上安装有柜门(14)，柜门(14)上固定连接有合页(13)，且合页(13)固定连接于柜体(1)上。

10.根据权利要求1所述的一种恒温水浴槽，其特征在于：所述壳体(2)底部四角均设置有垫块(21)，且垫块(21)固定连接于柜体(1)上表面。

技术总结
本发明公开了一种恒温水浴槽，包括柜体，所述柜体内固定连接有温控器，温控器电性连接有半导体制冷器，柜体的顶端设置有壳体，且半导体制冷器固定连接于壳体内，壳体上表面设置有酸碱槽，酸碱槽的一侧设置有水浴槽本体，水浴槽本体顶端设置有槽盖，酸碱槽和水浴槽本体内均安装有烧杯，酸碱槽和水浴槽本体上均导通连接有管道；两个所述烧杯顶端均设置有杯盖；两个所述杯盖上均固定连接有温度探头，且温度探头电性连接于温控器上；本发明采用温控器结合半导体制冷器和电热管实现温度调控，较之现有设备具有更高的调温精度，同时本发明将水浴槽与酸碱槽采用整合式设计，减小了设备的体积，更加便于移动。

技术研发人员：王青松,肖真方
受保护的技术使用者：武汉百臻半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23