本公开涉及窄带化激光装置以及电子器件的制造方法。
背景技术:
1、近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化及高集成化,要求分辨率的提高。因此,正在推进从曝光用光源放出的光的短波长化。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽至350pm~400pm。因此,若由使krf以及arf激光那样的紫外线透过的材料构成投影透镜,则有时会产生色差。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化至能够忽略色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowing module:lnm)。将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本特开2006-276128号公报
6、专利文献2:日本特开2004-266624号公报
7、专利文献3:日本特开平05-104421号公报
8、专利文献4:美国专利第4963806号说明书
技术实现思路
1、在本公开的一个观点中,窄带化激光装置具备:光学元件及衍射光学元件,它们位于光谐振器的光路上;波长致动器,其通过移动光学元件来变更入射到衍射光学元件的光的入射角;波长驱动器,其驱动波长致动器;处理器,其向波长驱动器输出波长控制信号,以使从光谐振器输出的脉冲激光的波长周期性地变化;以及陷波滤波器,其配置于波长控制信号的路径上,以与波长致动器的驱动频率不同的陷波频率进行作用。
2、在本公开的一个观点中,电子器件的制造方法包括如下工序:通过窄带化激光装置生成脉冲激光;将脉冲激光输出到曝光装置;在曝光装置内在感光基板上曝光脉冲激光,以制造电子器件,窄带化激光装置具备:光学元件及衍射光学元件,它们位于光谐振器的光路上;波长致动器,其通过移动光学元件来变更入射到衍射光学元件的光的入射角;波长驱动器,其驱动波长致动器;处理器,其向波长驱动器输出波长控制信号,以使从光谐振器输出的脉冲激光的波长周期性地变化;以及陷波滤波器,其配置于波长控制信号的路径上,以与波长致动器的驱动频率不同的陷波频率进行作用。
1.一种窄带化激光装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波频率是比所述驱动频率高的频率。
3.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波频率是所述驱动频率的奇数倍,且所述奇数倍比1倍大。
4.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,与通过所述波长致动器的周期性的驱动而振动的波长振动机构的振动系统的谐振频率相应地设定所述陷波频率。
5.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波滤波器包括串联连接的第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器。
6.根据权利要求5所述的窄带化激光装置,其中,所述第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器以相同的陷波频率进行作用。
7.根据权利要求6所述的窄带化激光装置,其中,所述第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器以相同的陷波增益深度进行作用。
8.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波滤波器构成为能够通过所述处理器调整陷波参数。
9.根据权利要求8所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波参数包括所述陷波频率和陷波增益深度,
10.根据权利要求8所述的窄带化激光装置,其中,所述窄带化激光装置还具备位于所述脉冲激光的光路上的波长监视器,
11.根据权利要求10所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器计算所述测量波长与所述脉冲激光的目标波长的偏差,并基于所述偏差调整所述陷波参数。
12.根据权利要求11所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器将所述偏差与阈值进行比较,在所述偏差大于所述阈值的脉冲在规定脉冲数内连续的情况下调整所述陷波参数。
13.根据权利要求12所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波参数包括所述陷波频率,
14.根据权利要求12所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波参数还包括陷波增益深度,
15.根据权利要求10所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器计算所述脉冲激光的目标波长不同的多个脉冲的所述测量波长的波长差,基于所述波长差调整所述陷波参数。
16.根据权利要求15所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器多次计算所述波长差并计算所述波长差的平均值,在所述平均值大于阈值的情况下调整所述陷波参数。
17.根据权利要求1所述的窄带化激光装置,其中,所述陷波滤波器包括串联连接的第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器,
18.根据权利要求17所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器调整所述陷波参数,以使所述第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器以相同的陷波频率进行作用。
19.根据权利要求18所述的窄带化激光装置,其中,所述处理器调整所述陷波参数,以使所述第一带阻滤波器以及第二带阻滤波器以相同的陷波增益深度进行作用。
20.一种电子器件的制造方法,其中,包括如下工序: