具有双侧接触件的高性能设备的制作方法
本公开整体涉及高性能设备，并且更具体地但非排他地涉及具有双侧接触件的设备及其制造技术。
背景技术：
1、集成电路技术通过有源组件和无源组件的小型化，在提高计算能力方面取得了长足的进步。可以在许多电子设备中找到封装设备，包括处理器、服务器、射频集成电路等。
2、噪声系数是诸如低噪声放大器的设备中的关键参数。然而，该参数受到晶体管的栅极电阻的限制。传统方法可改善栅极电阻。但是此类方法也会增加不期望的寄生电容。
3、相应地，存在对克服常规设备的缺陷的系统、装置和方法(包括本文所提供的方法、系统和装置)的需求。
技术实现思路
1、以下呈现了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有考虑的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有考虑的方面和/或示例相关的关键性或决定性元素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述的唯一目的是在以下呈现的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念。
2、公开了一种示例性晶体管。该晶体管可包括硅(si)层，该硅(si)层包括源极区、漏极区以及源极区与漏极区之间的沟道区。该晶体管还可包括在si层的第一侧上的沟道区上的栅极氧化物。该晶体管可进一步包括在栅极氧化物上的栅极。该晶体管还可包括与源极区电耦合的源极接触件。该晶体管可又进一步包括在与si层的第一侧相对的si层的第二侧上的漏极接触件。漏极接触件可与漏极区电耦合。第一栅极长度可短于第二栅极长度。第一栅极长度可以是栅极更靠近栅极氧化物的部分的长度，并且第二栅极长度可以是栅极更远离栅极氧化物的部分的长度。
3、公开了另一种示例性晶体管。该晶体管可包括硅(si)层，该硅(si)层包括源极区、漏极区以及源极区与漏极区之间的沟道区。该晶体管还可包括在si层的第一侧上的沟道区上的栅极氧化物。该晶体管可进一步包括在栅极氧化物上的栅极。该晶体管还可包括与源极区电耦合的源极接触件。该晶体管可又进一步包括在与si层的第一侧相对的si层的第二侧上的漏极接触件。漏极接触件可与漏极区电耦合。栅极的中心相比于漏极区可更靠近源极区。
4、公开了一种制造晶体管的方法。该方法可包括形成硅(si)层，该硅(si)层包括源极区、漏极区以及源极区与漏极区之间的沟道区。该方法还可包括在si层的第一侧上的沟道区上形成栅极氧化物。该方法可进一步包括在栅极氧化物上的栅极。该方法还可包括形成与源极区电耦合的源极接触件。该方法可又进一步包括在与si层的第一侧相对的si层的第二侧上形成漏极接触件。漏极接触件可与漏极区电耦合。第一栅极长度可短于第二栅极长度。第一栅极长度可以是栅极更靠近栅极氧化物的部分的长度，并且第二栅极长度可以是栅极更远离栅极氧化物的部分的长度。
5、公开了另一种制造晶体管的方法。该方法可包括形成硅(si)层，该硅(si)层包括源极区、漏极区以及源极区与漏极区之间的沟道区。该方法还可包括在si层的第一侧上的沟道区上形成栅极氧化物。该方法可进一步包括在栅极氧化物上的栅极。该方法还可包括形成与源极区电耦合的源极接触件。该方法可又进一步包括在与si层的第一侧相对的si层的第二侧上形成漏极接触件。漏极接触件可与漏极区电耦合。栅极的中心相比于漏极区可更靠近源极区。
6、基于附图和详细描述，与本文所公开的各装置和方法相关联的其他特征和优点对本领域技术人员而言将是显而易见的。
技术特征：
1.一种晶体管，所述晶体管包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，所述晶体管进一步包括：
3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极接触件在所述si层的所述第一侧上。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极接触件在所述si层的所述第二侧上。
5.根据权利要求4所述的晶体管，所述晶体管进一步包括：
6.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极是蘑菇形的。
7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极是梯形的。
8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管被结合到选自由以下各项组成的组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器和机动交通工具中的设备。
9.一种晶体管，所述晶体管包括：
10.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述栅极氧化物和所述栅极与所述源极区的至少一部分重叠。
11.根据权利要求10所述的晶体管，其中所述源极区的被所述栅极氧化物和所述栅极重叠的所述部分大于所述漏极区的被所述栅极氧化物和所述栅极重叠的部分。
12.根据权利要求9所述的晶体管，所述晶体管进一步包括：
13.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述源极接触件在所述si层的所述第一侧上。
14.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述源极接触件在所述si层的所述第二侧上。
15.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述晶体管被结合到选自由以下各项组成的组的装置中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器和机动交通工具中的设备。
16.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，所述方法进一步包括：
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述源极接触件形成于所述si层的所述第一侧上。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述源极接触件形成于所述si层的所述第二侧上。
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法进一步包括：
21.根据权利要求16所述的方法，其中所述栅极是蘑菇形的。
22.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述栅极氧化物和形成所述栅极包括：
23.根据权利要求16所述的方法，其中所述栅极是梯形的。
24.根据权利要求23所述的方法，其中形成所述栅极氧化物和形成所述栅极包括：
25.一种制造晶体管的方法，所述方法包括：
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述栅极氧化物和所述栅极与所述源极区的至少一部分重叠。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述源极区的被所述栅极氧化物和所述栅极重叠的所述部分大于所述漏极区的被所述栅极氧化物和所述栅极重叠的部分。
28.根据权利要求25所述的方法，所述方法进一步包括：
29.根据权利要求25所述的方法，其中所述源极接触件形成于所述si层的所述第一侧上。
30.根据权利要求25所述的方法，其中所述源极接触件形成于所述si层的所述第二侧上。
技术总结
公开了具有双侧接触件的设备的晶体管，在该晶体管中至少漏极接触件在栅极的相对侧上。以这种方式，可减小栅极电阻而不增加栅极与漏极之间的寄生电容。
技术研发人员：梁晴晴,G·P·埃姆图尔恩,Y·H·楚,S·库玛拉萨米
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23