本发明总体上涉及检查工具和能够抑制其中的杂质的阻挡件。
背景技术:
1、随着对具有越来越小的器件特征的集成电路的需求持续增加,对这些不断缩小的器件的检查需求也持续增长。在检查期间,检查多个样本(例如,多个晶片)以确定它们是否包括缺陷。检查过程期间产生的杂质可能对检查工具的内部工作和/或部件具有不利影响,从而导致错误的检查结果。此外,如果所述杂质到达样本,则这样的杂质可潜在地不利地影响样本本身。期望减少各种部位处的杂质。
技术实现思路
1、在一个实施例中,本公开针对一种样本检查工具。所述检查工具包括:光源,所述光源被配置成产生低于200 nm的波长的有效检查辐射;样本保持器;以及成像子系统,所述成像子系统包含子系统部件,所述子系统部件沿光路径将光从所述光源传送至待由所述样本保持器保持的样本。阻挡件被定位在所述光路径中的最后的子系统部件与待由所述样本保持器保持的样本之间,所述阻挡件允许在所述辐射从其传递穿过的同时阻止杂质到达待由所述样本保持器保持的样本。
2、在一个实施例中,所述杂质包括微粒、光谱杂质,和/或包括所述检查工具中的一种或多种特定气体。
3、在一个实施例中,所述阻挡件包括具有多个层的薄膜,其中,第一层由第一材料或材料成分制成且第二层由第二材料或材料成分制成。
4、在一个实施例中,所述阻挡件包括含碳材料的薄膜或含硅材料的薄膜。
5、在一个实施例中,所述阻挡件包括围绕薄膜的框架,其中,所述薄膜具有在3 nm与200 nm之间的厚度。
6、在一个实施例中,可释放阻挡件保持器被配置成将所述阻挡件保持在所述光路径中的最后的光学元件与待由所述样本保持器保持的样本之间的位置处,所述阻挡件保持器被配置成释放所述阻挡件以允许更换所述阻挡件。
7、在一个实施例中,所述光源被配置成产生大于100 nm的所述有效检查辐射。
8、在一个实施例中,所述阻挡件与所述样本分离开0.1 mm至10 mm。
9、在另一实施例中,所述样本检查工具包括:光源,所述光源被配置成产生低于200nm的有效检查辐射;样本保持器;成像子系统,所述成像子系统包括子系统部件),所述子系统部件沿光路径将光从所述光源传送至待由所述样本保持器保持的样本;以及阻挡件,所述阻挡件被定位在所述光路径中位于所述光路径中的最后的子系统部件之前,所述阻挡件阻止杂质到达所述光路径内的至少一个子系统部件,其中,所述杂质包括微粒。
10、在另一实施例中,一种样本检查工具包括:光源,所述光源被配置成产生低于200nm的有效检查辐射;样本保持器;成像子系统,所述成像子系统包含子系统部件,所述子系统部件沿光路径将光从所述光源传送至待由所述样本保持器保持的样本;多个阻挡件,所述多个阻挡件被定位在所述光路径内,所述多个阻挡件阻止杂质到达所述子系统部件和待由所述样本保持器保持的样本。
11、在一个实施例中,多个可释放阻挡件保持器被配置成保持被定位在所述光路径内的所述多个阻挡件,所述阻挡件保持器被配置成释放所述阻挡件以允许更换所述阻挡件。
12、在又一实施例中,本公开涉及一种用于在检查工具中使用的阻挡件。所述阻挡件包括具有多个层的薄膜,其中,第一层由第一材料或材料成分制成且第二层由不同于所述第一材料的第二材料或材料成分制成;其中所述薄膜包括含碳材料且具有在3 nm与200 nm之间的厚度;其中所述阻挡件包括环绕所述薄膜的框架,并且其中所述阻挡件允许辐射从其传递穿过且阻止杂质从其传递穿过。
13、在另一实施例中,所述第一层阻止微粒杂质从其传递穿过且所述第二层阻止光谱杂质从其传递穿过。
14、应理解,前述一般描述和以下详细描述两者仅是示例性的和解释性的,且不必限制本公开。被合并入且构成特性的一部分的随附附图图示本公开的主题。描述和附图一起用于解释本公开的原理。
1.一种样本检查工具,包括:
2.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述杂质包括微粒。
3.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述杂质包括光谱杂质。
4.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述杂质包括所述检查工具中的一种或多种特定气体。
5.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述阻挡件包括具有多个层的薄膜,其中,第一层由第一材料或材料成分制成且第二层由不同于所述第一材料或材料成分的第二材料或材料成分制成。
6.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述阻挡件包括含碳材料的薄膜。
7.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述阻挡件包括含硅材料的薄膜。
8.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述阻挡件包括围绕薄膜的框架,并且其中所述薄膜具有在3 nm与200 nm之间的厚度。
9.根据权利要求1所述的样本检查工具,还包括可释放阻挡件保持器,所述可释放阻挡件保持器被配置成将所述阻挡件保持在所述光路径中的最后的光学元件与待由所述样本保持器保持的样本之间的位置处,所述阻挡件保持器被配置成释放所述阻挡件以允许更换所述阻挡件。
10.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述光源被配置成产生大于100 nm的所述有效检查辐射。
11.根据权利要求1所述的样本检查工具,其中,所述阻挡件与所述样本分离开0.1 mm至10 mm。