掩模版台的制作方法

本发明涉及用于euv光刻设备的掩模版台，特别地涉及可被配置为遮蔽反射型掩模版的一部分免受euv辐射束照射的台。

背景技术：

1、光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路（ic）。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如掩模）处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193 nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20 nm的范围内（例如6.7 nm或13.5 nm）的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。

3、在一些示例中，图案形成装置可以设置有对准标记，所述对准标记可以用于在曝光过程中使图案形成装置相对于光刻设备中的衬底对准。

4、然而，已经发现，在曝光过程中，这种对准标记可能会无意地被图案化到衬底上，例如被图案化到衬底上的目标场的相邻场上。

5、已知的光刻设备可以设置有一个或多个遮蔽件或掩模，以防止这种无意的图案化。这种遮蔽件或掩模的使用在本领域中被称为“掩模版遮蔽”，或更常见地被称为“rema”。

6、为了有效地防止对准标记被图案化到衬底上的相邻场上，这种遮蔽件或掩模可能需要在光刻设备内以精确的定时进行准确定位。然而，用于控制这种遮蔽件或掩模的定位和/或定时的已知装置可能是大型的、复杂的、昂贵的。此外，增加遮蔽件或掩模的扫描速度和加速度可能需要更大型且更繁重的模块来提供这样的速度和加速度。然而，在光刻设备内实现如此大型模块的空间可能是有限的。例如，由于光学要求，这种模块可能被直接设置在光刻设备中的图案形成装置下方，此处的空间可能是受限的。此外，对这种模块的控制和维护可能会产生成本，并可能增加光刻设备的停机时间。

7、因此，期望提供一种具有用于在曝光过程中防止图案形成装置对准标记被无意地图案化到衬底上的有效装置的低成本和低复杂度的掩模版台。

8、因此，本公开的至少一个方面的至少一个实施例的目的是消除或至少减轻现有技术的上述缺点中的至少一项。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供了一种用于光刻设备的掩模版台，所述掩模版台包括：用于反射型掩模版的支撑件；和至少一个遮蔽元件，所述至少一个遮蔽元件耦接到所述支撑件，并能够在用于遮蔽所述反射型掩模版的图案化侧的一部分免受辐射束照射的第一位置和用于曝光所述部分的第二位置之间配置。在一个实施例中，光刻设备是euv设备，并且辐射束是euv辐射束。在其他实施例中，所述至少一个遮蔽元件能够在第一位置和第二位置之间选择性地配置，所述第一位置用于遮蔽反射型掩模版的图案化侧的一部分免受euv辐射束照射，并且所述第二位置用于曝光所述部分。

2、在附加实施例中，遮蔽元件可以位于掩模版的反射侧。掩模版的反射侧是包括待被图案化到衬底的图案的一侧，即图案化侧。因此，辐射束射击到掩模版上，并且辐射束的反射包括待被图案化到衬底中的图案。掩模版的非反射侧用于将掩模版夹持或附接到掩模版台的支撑件上。因此，辐射束仅在其反射侧与掩模版相互作用。

3、有利地，通过使至少一个遮蔽元件耦接到支撑件，所述至少一个遮蔽元件可以被配置为在光刻设备内与支撑件一起移动，从而减轻了使遮蔽元件的运动与支撑件的运动精确同步的要求。

4、此外，当处于第一位置时，至少一个遮蔽元件可以阻挡经图案化的辐射束，例如由反射型掩模版图案化的辐射。即，在第一位置，至少一个遮蔽元件可以阻挡经图案化的辐射束和未经图案化的辐射束。

5、至少一个遮蔽元件可以包括至少一个细长构件。至少一个细长构件可以在第一位置和第二位置之间选择性地枢转或旋转。第二位置可以基本上垂直于第一位置。

6、掩模版台可以包括一对遮蔽元件。每个遮蔽元件可以被配置为选择性地遮蔽反射型掩模版的图案化侧的端部（例如，相对端）的相应部分。

7、有利地，每个遮蔽元件可以被配置为遮蔽掩模版对准标记，所述掩模版对准标记通常可以至少位于掩模版的相对端的端部部分处。因此，可以避免在曝光过程中将掩模版对准标记无意地图案化到衬底w上。

8、至少一个遮蔽元件可以耦接到支撑件，使得在使用中，至少一个元件可以在光刻设备内与支撑件一起移动。

9、掩模版台可以包括致动器，所述致动器被配置为使至少一个遮蔽元件在第一位置和第二位置之间转换。至少一个遮蔽元件可以设置在支撑件的与致动器的相反侧处。

10、有利地，通过将遮蔽元件设置在支撑件的与致动器的相反侧处，可以最小化掩模版的污染，诸如由于来自致动器的碎屑而导致的污染。即，将遮蔽元件设置在支撑件的与致动器的相反侧的关键好处在于，在一些示例中，致动器的电机和轴承可以设置在台的背侧，背向敏感的掩模版的前侧，从而减少掩模版缺陷。

11、致动器可以能够配置为在光刻设备内移动掩模版台。

12、至少一个遮蔽元件可以包括流体通道。该流体通道可以用于对至少一个遮蔽元件进行热调节。

13、在使用中，至少一个遮蔽元件可能由于吸收用于曝光衬底的辐射（例如euv辐射）而易于加热。提供用于热调节至少一个遮蔽元件的流体通道可以防止这种加热，从而还可以防止由于至少一个遮蔽元件的热膨胀和/或收缩而导致的掩模版的可能损坏和/或位移。

14、掩模版台可以包括用于将流体流引入流体通道中的系统。

15、掩模版台可以被配置为当至少一个遮蔽元件可以处于第二位置时，分别将反射型掩模版装载到支撑件上或从支撑件上卸载反射型掩模版。

16、至少一个遮蔽元件的面向掩模版的表面可以是曲面的。

17、有利地，曲面表面可以减少或最小化掩模版和至少一个遮蔽元件之间的接触面积，诸如当掩模版被至少一个遮蔽元件捕接时的掩模版和至少一个遮蔽元件之间的接触面积，如下面更详细地描述的。

18、至少一个遮蔽元件的面向掩模版的表面/所述面向掩模版的表面可以被配置为在掩模版从支撑件脱离时支撑掩模版。

19、即，至少一个遮蔽元件的面向掩模版的表面可以被配置为在掩模版从支撑件上脱离时，诸如由于支撑件的静电夹持的故障而导致掩模版从支撑件上脱离时，捕接掩模版。由此，至少一个遮蔽元件可以兼作为掩模版捕接器，例如，执行如上所述的遮蔽经图案化的辐射束和/或未经图案化的辐射束的主要功能，以及在掩模版从支撑件脱离时捕接掩模版的附加次要功能。

20、在与由支撑件限定的平面正交的横截面中，至少一个遮蔽元件可以包括基本三角形的横截面。

21、有利地，这种横截面可以大大减少至少一个遮蔽元件对用于曝光衬底的辐射（例如euv辐射）的吸收。通过减少吸收，可以最小化对至少一个遮蔽元件的加热。

22、在与由支撑件限定的平面正交的横截面中，至少一个遮蔽元件的遮蔽部分的、被配置为在使用中背向反射型掩模版的图案化侧的表面可以配置为限制对用于图案化衬底的euv辐射束的一部分的吸收。

23、掩模版台可以与反射型掩模版组合设置。该部分/每个部分可以对应于位于反射型掩模版的图案化侧的边界部分中的至少一个掩模版对准标记。

24、根据本公开的第二方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括根据第一方面的掩模版台。

25、根据本公开的第三方面，提供了一种光刻系统，所述光刻系统包括euv辐射源和根据第二方面的光刻设备。

26、根据本公开的第四方面，提供了一种操作euv光刻设备的方法。

27、该方法包括通过感测从反射型掩模版的图案化侧上的至少一个掩模版对准标记反射的辐射来确定掩模版在掩模版台的支撑件上的相对位置和/或取向。

28、该方法包括配置耦接到支撑件的至少一个遮蔽元件，以从用于曝光至少一个掩模版对准标记的位置转换到用于遮蔽至少一个掩模版对准标记免受euv辐射束照射的位置。

29、该方法包括将反射型掩模版曝光于euv辐射，其中从反射型掩模版反射的辐射用于图案化衬底。

30、上述概述仅是示例性的而非限制性的。本公开包括单独或以各种组合的一个或多个相应的方面、实施例或特征，无论是否在该组合中或单独地具体说明（包括进行保护）。应当理解，可以在任何其他方面或实施例中单独或与任何其他定义的特征结合使用根据本公开的任何方面定义的上述特征或与本公开的特定实施例相关的以下特征，或形成本公开的另一个方面或实施例。

技术特征：

1.一种用于光刻设备的掩模版台，所述掩模版台包括：

2.根据权利要求1所述的掩模版台，其中所述至少一个遮蔽元件包括至少一个细长构件，所述至少一个细长构件能够在第一位置和第二位置之间选择性地枢转或旋转，其中所述第二位置基本上垂直于所述第一位置。

3.根据权利要求1或2所述的掩模版台，其中所述掩模版台包括一对遮蔽元件，每个遮蔽元件能够被配置为选择性地遮蔽所述反射型掩模版的所述图案化侧的相对端的相应部分。

4.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中所述至少一个遮蔽元件耦接到所述支撑件，使得在使用中，所述至少一个元件在所述光刻设备内与所述支撑件一起移动。

5.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中所述掩模版台包括致动器，所述致动器被配置为使所述至少一个遮蔽元件在所述第一位置和所述第二位置之间转换，其中所述至少一个遮蔽元件设置在所述支撑件的与所述致动器的相反侧处。

6.根据权利要求5所述的掩模版台，其中所述致动器能够配置为在所述光刻设备内移动所述掩模版台。

7.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中所述至少一个遮蔽元件包括流体通道，所述流体通道用于对所述至少一个遮蔽元件进行热调节。

8.根据权利要求7所述的掩模版台，所述掩模版台包括用于将流体流引入所述流体通道中的系统。

9.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中所述掩模版台被配置为当所述至少一个遮蔽元件处于所述第二位置时，分别将反射型掩模版装载到所述支撑件上或从所述支撑件上卸载反射型掩模版。

10.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中：

11.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，其中在与由所述支撑件限定的平面正交的横截面中，存在以下中的至少一项：

12.根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台，所述掩模版台与所述反射型掩模版组合，其中所述部分/每个部分对应于位于所述反射型掩模版的所述图案化侧的边界部分中的至少一个掩模版对准标记。

13.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据前述权利要求中任一项所述的掩模版台。

14.一种光刻系统，所述光刻系统包括euv辐射源和根据权利要求13所述的光刻设备。

15.一种操作euv光刻设备的方法，所述方法包括：

技术总结
公开了一种用于光刻设备的掩模版台。该掩模版台包括：用于反射型掩模版的支撑件；和耦接到支撑件的至少一个遮蔽元件。该至少一个遮蔽元件能够在第一位置和第二位置之间选择性地配置，该第一位置用于遮蔽反射型掩模版的图案化侧的一部分免受辐射束照射，该第二位置用于曝光该部分。还公开了EUV光刻设备和操作EUV光刻设备的相应方法。

技术研发人员：M·A·范德克尔克霍夫,K·F·布斯特雷恩
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/9/23