像素电路及其驱动方法与流程

xiaoxiao1月前  14


本申请涉及显示,尤其涉及一种像素电路及其驱动方法。


背景技术:

1、有机发光显示器(organic light emitting diode,oled)是当前平板显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器相比,oled具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前在手机、pda、数码相机等平板显示领域,oled已经开始取代传统的液晶显示屏(liquid crystal display,lcd)。其中,驱动电路的设计,是实现显示功能的关键技术。

2、驱动电路一般可以包括扫描驱动电路、发光控制电路、数据驱动电路、像素电路等,其中像素电路设计是oled显示器核心技术内容,具有重要的研究意义。

3、随着显示技术的发展,人们对显示效果的要求也越来越高。ppi(pixels perinch,像素每英寸)是一种表示屏幕分辨率的度量单位,用来描述显示设备(如显示器、手机屏幕等)每英寸上的像素数量。ppi越高,显示的图像和文字就越细腻、清晰。具体来说,ppi是通过将显示屏的横向像素和纵向像素除以屏幕的物理宽度和高度计算得出的。例如,如果一个屏幕的分辨率是1920x1080像素,屏幕尺寸是5英寸,那么可以计算出它的ppi。高ppi在现代显示技术中非常重要,尤其是对于智能手机、平板电脑和高分辨率显示器等设备,因为它直接影响用户体验,提供更锐利、更清晰的图像质量和更细腻的文字显示。

4、在高ppi显示器中,每个像素的尺寸非常小,这就要求驱动电路的集成度非常高,且布局紧凑。多晶体管节点的存在会增加电路的复杂性和尺寸,进而限制了像素密度的提升。因此,为了实现高ppi,电路设计需要尽可能简化,减少晶体管数量,并优化布局,以提高电路集成度和效率。在传统oled器件发光时,数据写入电路、复位电路、补偿电路处于关闭状态,然而由于储能电路连接的tft节点较多,不利于高ppi的实现。


技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的问题,本发明提供了一种像素电路及其驱动方法。

2、本发明提供了一种像素电路,包括:数据写入单元,用于控制数据信号的输入;第一储能单元,其第一端连接所述数据写入单元的输出端,用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储;第二储能单元,其第一端连接高电平vdd,第二端连接所述第一储能单元的第二端,用于和所述第一储能单元一起进行数据信号的存储;发光单元,用于进行发光显示;驱动单元,其输入端连接高电平vdd,控制端连接所述第一储能单元的第二端,输出端用于向所述发光单元提供发光电流;发光控制晶体管,其输入端连接所述驱动单元的输出端,控制端连接发光控制信号,输出端连接所述发光单元,用于控制所述驱动单元和所述发光单元的导通;补偿单元,其输出端连接所述第一储能单元的第二端,控制端连接补偿控制信号,输入端连接所述驱动单元的输出端;第一复位单元,其输入端连接所述补偿单元的输入端,输出端连接所述第一储能单元的输入端。

3、可选的,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管,其栅极连接第一复位控制信号。

4、可选的,所述数据写入单元包括第一pmos晶体管,其源极连接数据信号。

5、可选的,所述第一储能单元包括第一电容,其第一端连接所述数据写入单元的输出端。

6、可选的,所述第二储能单元包括第二电容,其第一端连接高电平vdd,第二端连接所述第一电容的第二端。

7、可选的,所述驱动单元为pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接所述第一电容和所述第二电容的第二端。

8、可选的,所述补偿单元包括:第二pmos晶体管,其漏极连接所述第一电容的第一端,栅极连接补偿控制信号。

9、可选的,所述发光控制晶体管包括第三pmos晶体管,其源极连接第二pmos晶体管的源极,栅极连接发光控制信号。

10、可选的,所述发光单元的输入端连接所述发光控制晶体管的漏极。

11、可选的,所述像素电路还包括:第二复位单元,连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。

12、可选的,所述第二复位单元包括第四pmos晶体管,其源极连接所述发光控制晶体管的漏极,栅极连接第二复位信号,漏极连接初始化信号。

13、可选的,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管和第六pmos晶体管,其中第五pmos晶体管的栅极连接第一复位控制信号,漏极连接所述数据写入单元的输出端,源极连接初始化信号;第六pmos晶体管的漏极连接初始化信号,源极连接所述第一储能单元的第二端,栅极连接第一复位控制信号。

14、可选的,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管和第六pmos晶体管,其中第五pmos晶体管栅极连接第一复位控制信号,漏极连接所述数据写入单元的输出端,源极连接初始化信号;第六pmos晶体管的漏极连接第一储能单元的第一端,源极连接所述补偿单元的输入端,栅极连接第一复位控制信号。

15、本发明还提供了一种像素电路的驱动方法,包括步骤:开启初始化,数据写入单元打开,第一复位单元打开,第二复位单元打开,驱动单元打开;开启自放电,所述数据写入单元打开,补偿单元打开,所述第二复位单元打开,所述第一复位单元关闭;写入信息,所述数据写入单元打开,所述第二复位单元打开,所述补偿单元关闭;发光,所述数据写入单元关闭,所述第二复位单元关闭,发光控制晶体管打开。

16、与现有技术相比,本公开实施例的技术方案具有以下有益效果:

17、本发明提出了一种适用于micro oled的像素电路及实现方式,通过在复位电路中设置较少晶体管,有利于高ppi的实现,从而可以提高面板的显示品质。



技术特征:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管,其栅极连接第一复位控制信号。

3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括第一pmos晶体管,其源极连接数据信号。

4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一储能单元包括第一电容,其第一端连接所述数据写入单元的输出端。

5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述第二储能单元包括第二电容,其第一端连接高电平vdd,第二端连接所述第一电容的第二端。

6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述驱动单元为pmos晶体管,其源极连接高电平vdd,栅极连接所述第一电容和所述第二电容的第二端。

7.如权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述补偿单元包括:第二pmos晶体管,其漏极连接所述第一电容的第一端,栅极连接补偿控制信号。

8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述发光控制晶体管包括第三pmos晶体管,其源极连接第二pmos晶体管的源极,栅极连接发光控制信号。

9.如权利要求8所述的像素电路,其特征在于,所述发光单元的输入端连接所述发光控制晶体管的漏极。

10.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,还包括:第二复位单元,连接所述发光单元的输入端,用于将所述发光单元进行复位。

11.如权利要求10所述的像素电路,其特征在于,所述第二复位单元包括第四pmos晶体管,其源极连接所述发光控制晶体管的漏极,栅极连接第二复位信号,漏极连接初始化信号。

12.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管和第六pmos晶体管,其中第五pmos晶体管的栅极连接第一复位控制信号,漏极连接所述数据写入单元的输出端,源极连接初始化信号;第六pmos晶体管的漏极连接初始化信号,源极连接所述第一储能单元的第二端,栅极连接第一复位控制信号。

13.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述第一复位单元包括第五pmos晶体管和第六pmos晶体管,其中第五pmos晶体管栅极连接第一复位控制信号,漏极连接所述数据写入单元的输出端,源极连接初始化信号;第六pmos晶体管的漏极连接第一储能单元的第一端,源极连接所述补偿单元的输入端,栅极连接第一复位控制信号。

14.一种权利要求1所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括步骤:


技术总结
本发明提出了一种像素电路及其驱动方法。所述像素电路包括:数据写入单元,用于控制数据信号的输入;第一储能单元,用于将所述数据写入单元输出的数据信号进行存储;第二储能单元,用于和所述第一储能单元一起进行数据信号的存储;发光单元,用于进行发光显示;驱动单元,输出端用于向所述发光单元提供发光电流;发光控制晶体管,用于控制所述驱动单元和所述发光单元的导通;补偿单元;第一复位单元。本发明提出的适用于Micro OLED的像素电路及实现方式,通过在复位电路中设置较少晶体管,有利于高PPI的实现,从而可以提高面板的显示品质。

技术研发人员:孙林,刘胜芳
受保护的技术使用者:安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/9/23

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