一种低通态压降整流装置的制造方法
一种低通态压降整流装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种低通态压降(NMOSFET管)整流装置，属于整流装置技术领域。
【背景技术】
[0002]低通态压降(NMOSFET管)整流装置是机电控制中的重要控制设备，目前的整流装置中二极管导通压降大于1.4V，单只硅材料二极管子导通压降0.7V，在机电控制应用当中功率损耗多，散热量大。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种低通态压降整流装置，是一种通态压降只有几十毫(30-50mV)伏整流装置，具有低功率损耗的特点，采用低导通电阻(RDS (ON) <8m Ω )，使散热量减小。
[0004]本实用新型的技术方案是:
[0005]一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。
[0006]交流输入信号电路，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。
[0007]同步控制芯片接整流输出电路的4只NMOSFET管。
[0008]整流输出电路，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。
[0009]输出指示电路，由串接的电阻和发光二级管组成。
[0010]阻容吸收电路，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
[0011]当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800 (1mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。
[0012]整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。
[0013]阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。
[0014]VINU VIN2接交流输入信号(90-280VAC)，VOUT+, VOUT-是输出直流电。
[0015]本实用新型的工作过程时:输出接上负载，当有交流输入信号220VAC时，经过同步变压器输入到同步芯片取样，芯片控制4个NMOSFET管子，随着频率(50Hz)变化打开或是关断，与输出指示电路相连，输出指示电路LED灯亮。当断开交流输入信号时，输出指示电路灯都不亮，同步控制芯片和整流输出电路不工作，控制NMOSFET管子的通断来实现整流目的。
【附图说明】
[0016]图1为一种低通态压降整流装置的电路原理图。
[0017]图2为一种低通态压降整流装置的电路图。
[0018]图中:交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本实用新型的技术方案进行具体阐述，需要指出的是，本实用新型的技术方案不限于实施例所述的实施方式，本领域的技术人员参考和借鉴本实用新型技术方案的内容，在本实用新型的基础上进行的改进和设计，应属于本实用新型的保护范围。
[0020]如图1-2所示，本实用新型实施例所述的一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。
[0021]交流输入信号电路1，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。
[0022]同步控制芯片2接整流输出电路3的4只NMOSFET管。
[0023]整流输出电路3，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。
[0024]输出指示电路4，由串接的电阻和发光二级管组成。
[0025]阻容吸收电路5，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
[0026]当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800 (1mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。
[0027]整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。
[0028]阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。
[0029]VINU VIN2接交流输入信号(90-280VAC)，VOUT+, VOUT-是输出直流电。
[0030]本实用新型的工作过程时:输出接上负载，当有交流输入信号220VAC时，经过同步变压器输入到同步芯片取样，芯片控制4个NMOSFET管子，随着频率(50Hz)变化打开或是关断，与输出指示电路相连，输出指示电路LED灯亮。当断开交流输入信号时，输出指示电路灯都不亮，同步控制芯片和整流输出电路不工作，控制NMOSFET管子的通断来实现整流目的。
【主权项】
1.一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，其特征在于，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。2.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，交流输入信号电路，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。3.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，同步控制芯片接整流输出电路的4只NMOSFET管。4.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，整流输出电路，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。5.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，输出指示电路，由串接的电阻和发光二级管组成。6.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，阻容吸收电路，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
【专利摘要】一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。本实用新型提供了一种低通态压降整流装置，是一种通态压降只有几十毫(30-50mV)伏整流装置，具有低功率损耗的特点，采用低导通电阻(RDS(ON)<8mΩ)，使散热量减小。
【IPC分类】H02M7/217
【公开号】CN204696947
【申请号】CN201520482440
【发明人】殷晨钟
【申请人】江苏固特电气控制技术有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年7月6日
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种低通态压降(NMOSFET管)整流装置，属于整流装置技术领域。
【背景技术】
[0002]低通态压降(NMOSFET管)整流装置是机电控制中的重要控制设备，目前的整流装置中二极管导通压降大于1.4V，单只硅材料二极管子导通压降0.7V，在机电控制应用当中功率损耗多，散热量大。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种低通态压降整流装置，是一种通态压降只有几十毫(30-50mV)伏整流装置，具有低功率损耗的特点，采用低导通电阻(RDS (ON) <8m Ω )，使散热量减小。
[0004]本实用新型的技术方案是:
[0005]一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。
[0006]交流输入信号电路，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。
[0007]同步控制芯片接整流输出电路的4只NMOSFET管。
[0008]整流输出电路，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。
[0009]输出指示电路，由串接的电阻和发光二级管组成。
[0010]阻容吸收电路，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
[0011]当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800 (1mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。
[0012]整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。
[0013]阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。
[0014]VINU VIN2接交流输入信号(90-280VAC)，VOUT+, VOUT-是输出直流电。
[0015]本实用新型的工作过程时:输出接上负载，当有交流输入信号220VAC时，经过同步变压器输入到同步芯片取样，芯片控制4个NMOSFET管子，随着频率(50Hz)变化打开或是关断，与输出指示电路相连，输出指示电路LED灯亮。当断开交流输入信号时，输出指示电路灯都不亮，同步控制芯片和整流输出电路不工作，控制NMOSFET管子的通断来实现整流目的。
【附图说明】
[0016]图1为一种低通态压降整流装置的电路原理图。
[0017]图2为一种低通态压降整流装置的电路图。
[0018]图中:交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本实用新型的技术方案进行具体阐述，需要指出的是，本实用新型的技术方案不限于实施例所述的实施方式，本领域的技术人员参考和借鉴本实用新型技术方案的内容，在本实用新型的基础上进行的改进和设计，应属于本实用新型的保护范围。
[0020]如图1-2所示，本实用新型实施例所述的一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路1、同步控制芯片2、整流输出电路3、输出指示电路4、阻容吸收电路5组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。
[0021]交流输入信号电路1，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。
[0022]同步控制芯片2接整流输出电路3的4只NMOSFET管。
[0023]整流输出电路3，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。
[0024]输出指示电路4，由串接的电阻和发光二级管组成。
[0025]阻容吸收电路5，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
[0026]当给交流输入信号，通过变压器(T1)220VAC转成12-24VAC输入到同步芯片IN1、IN2端口，IN1、IN2接TVS(瞬变电压抑制二极管)保护电路，保证整个电路的安全。同步控制芯片接4只NMOSFET管子，依据交流输入频率(工频50Hz)，正半周0-1800 (1mS)内2个NMOSFET同时导通，负半周同理另外2只NMOSFET管子导通。
[0027]整流输出接电阻、LED相连作为输出状态指示。
[0028]阻容吸收防止输出端的瞬间大电流损坏电路，整流输出电路相连。
[0029]VINU VIN2接交流输入信号(90-280VAC)，VOUT+, VOUT-是输出直流电。
[0030]本实用新型的工作过程时:输出接上负载，当有交流输入信号220VAC时，经过同步变压器输入到同步芯片取样，芯片控制4个NMOSFET管子，随着频率(50Hz)变化打开或是关断，与输出指示电路相连，输出指示电路LED灯亮。当断开交流输入信号时，输出指示电路灯都不亮，同步控制芯片和整流输出电路不工作，控制NMOSFET管子的通断来实现整流目的。
【主权项】
1.一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，其特征在于，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。2.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，交流输入信号电路，采用降压变压器，对交流输入电压进行降压处理。3.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，同步控制芯片接整流输出电路的4只NMOSFET管。4.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，整流输出电路，主要由4只NMOSFET管组成桥式电路。5.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，输出指示电路，由串接的电阻和发光二级管组成。6.如权利要求1所述的一种低通态压降整流装置，其特征在于，阻容吸收电路，由电阻和电容串联后再与一极性电容并联。
【专利摘要】一种低通态压降整流装置，由交流输入信号电路、同步控制芯片、整流输出电路、输出指示电路、阻容吸收电路组成，所述交流输入信号电路的输出端与同步控制芯片连接，同步控制芯片的输出端与整流输出电路连接，所述整流输出电路的输出端与输出指示电路连接，所述输出指示电路的输出端与阻容吸收电路连接，阻容吸收电路的输出端接负载。本实用新型提供了一种低通态压降整流装置，是一种通态压降只有几十毫(30-50mV)伏整流装置，具有低功率损耗的特点，采用低导通电阻(RDS(ON)<8mΩ)，使散热量减小。
【IPC分类】H02M7/217
【公开号】CN204696947
【申请号】CN201520482440
【发明人】殷晨钟
【申请人】江苏固特电气控制技术有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年7月6日
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