用于激光器同轴封装的新型底座的制作方法
用于激光器同轴封装的新型底座的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于激光器同轴封装的新型底座，属于光通信领域。
【背景技术】
[0002]传统的TO封装底座如图3所示，由于管脚为分立式引线，在管脚和器件内部金丝键合均会引入寄生电感，寄生电感带来滤波效应导致器件带宽下降。由于采用该底座不可避免的带来阻抗失配，引起高频信号的衰减，因此，该底座不适用于高频传输。
[0003]因此有必要设计一种用于激光器同轴封装的新型底座，以克服上述问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种可实现高频传输的用于激光器同轴封装的新型底座。
[0005]本实用新型是这样实现的:
[0006]本实用新型提供一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。
[0007]进一步地，所述器件管体与所述电路基板之间通过玻璃绝缘子固定。
[0008]进一步地，所述电路包含匹配电阻和共面波导线。
[0009]进一步地，所述器件管体的表面为镀金层。
[0010]进一步地，所述器件管体的镀金层的厚度不小于0.3 μπι。
[0011]进一步地，所述电路采用蒸镀的方式设置于所述电路基板上。
[0012]进一步地，所述器件管体采用机械冲压成型。
[0013]本实用新型具有以下有益效果:
[0014]所述用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低了成本，同时可将各种匹配电阻集成到电路中，从而提高了该底座的高频传输性能。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0016]图1为本实用新型实施例提供的用于激光器同轴封装的新型底座的立体图；
[0017]图2为本实用新型实施例提供的用于激光器同轴封装的新型底座的侧视图；
[0018]图3为现有的传统TO封装底座的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0020]如图1至图2，本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体A、电路基板B以及电路C，所述电路基板B固定于所述器件管体A上，并由上至下贯穿于所述器件管体A，两者采用同轴封装。所述电路C设于所述电路基板B上。
[0021]如图1至图2，所述器件管体A采用铁镍钴合金制成，所述器件管体A采用机械冲压成型，其外形尺寸和常规同轴封装底座一致，所述器件管体A的表面为镀金层，所述器件管体A的镀金层的厚度不小于0.3 μ m。所述器件管体A与所述电路基板B之间通过玻璃绝缘子固定在一起。
[0022]如图1至图2，所述电路基板B采用氮化铝制成，以该材料做基板的高速电路有很好的尚频特性。
[0023]如图1至图2，所述电路C具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚Cl、探测器阴极管脚C2以及两个高速信号输入管脚(C3，C4)。所述电路C的反向镀金层为接地区域。所述电路C采用钛(Ti)、铂(Pt)以及金(Au)材料制成。具体的，电路C材料为Ti (0.2um) /Pt (0.2um) /Au (0.5um)。电路C中的黑色区域表面为焊料层，材料为Au:Sn。所述电路C含匹配电阻和共面波导线。所述电路C采用蒸镀的方式设置于所述电路基板B上。
[0024]所述用于激光器同轴封装的新型底座采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低成本，将匹配电阻集成到电路C中，可以提高该底座的高频传输性能。
[0025]所述电路C的四个管脚采取金手指排列方式，简化了工艺流程，普通底座需4根管脚玻璃高温烧结，本实用新型则简化为一个。
[0026]激光二极管的阴极与电路基板B通过共晶焊接相连，激光二极管的阳极通过金丝键合至电路。该键合线可控制在10um内，当激光器二极管金丝的寄生电感超过0.3nH，频率响应将会显著下降，影响高频传输性能。而本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座引入的寄生电感不超过0.1nH，在性能上有一定的优势。
[0027]本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座的管脚排列方式利于光路耦合，比常规同轴封装的器件更方便。
[0028]根据不同的传输速率(10Gb/s，25Gb/s)，可以在电路中集成不同的匹配电阻和传输线，满足不同的激光器驱动电路的需求。
[0029]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。2.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体与所述电路基板之间通过玻璃绝缘子固定。3.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述电路包含匹配电阻和共面波导线。4.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体的表面为镀金层。5.如权利要求4所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体的镀金层的厚度不小于0.3 μπι。6.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述电路采用蒸镀的方式设置于所述电路基板上。7.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体采用机械冲压成型。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。所述用于激光器同轴封装的新型底座采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低了成本，同时可将各种匹配电阻集成到电路中，从而提高了该底座的高频传输性能。
【IPC分类】H01S5/022
【公开号】CN204696445
【申请号】CN201520056923
【发明人】王迪, 毛奇, 莘雪成
【申请人】武汉电信器件有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年1月28日
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种用于激光器同轴封装的新型底座，属于光通信领域。
【背景技术】
[0002]传统的TO封装底座如图3所示，由于管脚为分立式引线，在管脚和器件内部金丝键合均会引入寄生电感，寄生电感带来滤波效应导致器件带宽下降。由于采用该底座不可避免的带来阻抗失配，引起高频信号的衰减，因此，该底座不适用于高频传输。
[0003]因此有必要设计一种用于激光器同轴封装的新型底座，以克服上述问题。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种可实现高频传输的用于激光器同轴封装的新型底座。
[0005]本实用新型是这样实现的:
[0006]本实用新型提供一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。
[0007]进一步地，所述器件管体与所述电路基板之间通过玻璃绝缘子固定。
[0008]进一步地，所述电路包含匹配电阻和共面波导线。
[0009]进一步地，所述器件管体的表面为镀金层。
[0010]进一步地，所述器件管体的镀金层的厚度不小于0.3 μπι。
[0011]进一步地，所述电路采用蒸镀的方式设置于所述电路基板上。
[0012]进一步地，所述器件管体采用机械冲压成型。
[0013]本实用新型具有以下有益效果:
[0014]所述用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低了成本，同时可将各种匹配电阻集成到电路中，从而提高了该底座的高频传输性能。
【附图说明】
[0015]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0016]图1为本实用新型实施例提供的用于激光器同轴封装的新型底座的立体图；
[0017]图2为本实用新型实施例提供的用于激光器同轴封装的新型底座的侧视图；
[0018]图3为现有的传统TO封装底座的结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0020]如图1至图2，本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体A、电路基板B以及电路C，所述电路基板B固定于所述器件管体A上，并由上至下贯穿于所述器件管体A，两者采用同轴封装。所述电路C设于所述电路基板B上。
[0021]如图1至图2，所述器件管体A采用铁镍钴合金制成，所述器件管体A采用机械冲压成型，其外形尺寸和常规同轴封装底座一致，所述器件管体A的表面为镀金层，所述器件管体A的镀金层的厚度不小于0.3 μ m。所述器件管体A与所述电路基板B之间通过玻璃绝缘子固定在一起。
[0022]如图1至图2，所述电路基板B采用氮化铝制成，以该材料做基板的高速电路有很好的尚频特性。
[0023]如图1至图2，所述电路C具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚Cl、探测器阴极管脚C2以及两个高速信号输入管脚(C3，C4)。所述电路C的反向镀金层为接地区域。所述电路C采用钛(Ti)、铂(Pt)以及金(Au)材料制成。具体的，电路C材料为Ti (0.2um) /Pt (0.2um) /Au (0.5um)。电路C中的黑色区域表面为焊料层，材料为Au:Sn。所述电路C含匹配电阻和共面波导线。所述电路C采用蒸镀的方式设置于所述电路基板B上。
[0024]所述用于激光器同轴封装的新型底座采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低成本，将匹配电阻集成到电路C中，可以提高该底座的高频传输性能。
[0025]所述电路C的四个管脚采取金手指排列方式，简化了工艺流程，普通底座需4根管脚玻璃高温烧结，本实用新型则简化为一个。
[0026]激光二极管的阴极与电路基板B通过共晶焊接相连，激光二极管的阳极通过金丝键合至电路。该键合线可控制在10um内，当激光器二极管金丝的寄生电感超过0.3nH，频率响应将会显著下降，影响高频传输性能。而本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座引入的寄生电感不超过0.1nH，在性能上有一定的优势。
[0027]本实用新型实施例提供一种用于激光器同轴封装的新型底座的管脚排列方式利于光路耦合，比常规同轴封装的器件更方便。
[0028]根据不同的传输速率(10Gb/s，25Gb/s)，可以在电路中集成不同的匹配电阻和传输线，满足不同的激光器驱动电路的需求。
[0029]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。2.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体与所述电路基板之间通过玻璃绝缘子固定。3.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述电路包含匹配电阻和共面波导线。4.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体的表面为镀金层。5.如权利要求4所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体的镀金层的厚度不小于0.3 μπι。6.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述电路采用蒸镀的方式设置于所述电路基板上。7.如权利要求1所述的用于激光器同轴封装的新型底座，其特征在于:所述器件管体采用机械冲压成型。
【专利摘要】本实用新型涉及一种用于激光器同轴封装的新型底座，包括器件管体、电路基板以及电路，所述电路基板固定于所述器件管体上，并由上至下贯穿于所述器件管体，所述电路基板和所述器件管体采用同轴封装，所述电路设于所述电路基板上，所述器件管体采用铁镍钴合金制成，所述电路基板采用氮化铝制成，所述电路具有四个管脚，四个管脚采用金手指的排列方式，其分别为探测器阳极管脚、探测器阴极管脚以及两个高速信号输入管脚。所述用于激光器同轴封装的新型底座采用同轴封装，同现有的工艺平台相结合，降低了成本，同时可将各种匹配电阻集成到电路中，从而提高了该底座的高频传输性能。
【IPC分类】H01S5/022
【公开号】CN204696445
【申请号】CN201520056923
【发明人】王迪, 毛奇, 莘雪成
【申请人】武汉电信器件有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年1月28日
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