一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法
一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及稀±永磁材料相关技术领域，尤其是指一种提高钦铁棚磁体矫顽力的 方法。
【背景技术】
[0002] 在现有技术中，为了提高钦铁棚磁体的矫顽力，采用Dy/Tb等重稀±元素部分置换 磁体中的Nd是一种显著有效的方法。Dy2Fei4B和化2Fei4B的各向异性场分别为15T和21T，远 高于NcbFewB的7.3T，Dy/Tb取代主相NcbFewB中的Nd后，生成的新相（Nd，Dy )2Fei4B和（Nd， 化)2化1巧的各向异性比主相大。
[0003] 但重稀±元素 Dy、Tb成本较高，铺的价格大约为Nd的5倍左右，而铺约为Nd的10倍 左右。因此像Dy、Tb运类能显著提高钦铁棚磁体性能的金属，它在磁体中的含量往往是决定 钦铁棚磁体原料成本的关键所在。
【发明内容】
[0004] 本发明是为了克服现有技术中存在上述的不足，提供了一种既降低重稀±添加量 又节约成本的提高钦铁棚磁体矫顽力的方法。
[0005] 为了实现上述目的，本发明采用W下技术方案：
[0006] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的方法，具体操作步骤如下：
[0007] (1)将钦铁棚磁体切成薄片；
[0008] (2)去除钦铁棚表面的氧化皮后烘干；
[0009] (3)利用蒸锻的方法在钦铁棚表面附上一层金属；
[0010] (4)将蒸锻后的钦铁棚在800~950°C条件下真空渗透处理；
[0011] (5)然后在400~600°C的条件下真空时效处理。
[0012] 本发明通过蒸锻的方法在薄片状钦铁棚磁体表面附上一层重稀±金属后，在合适 的溫度下进行真空渗透和时效处理重稀上金属作为替代元素进入主相内，并且在主相的晶 粒边界处进行取代在主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大 幅度提高而剩磁几乎不变。同时晶界被重稀±金属渗透后，晶界富稀±相更加连续、晶界更 加清晰，对隔离交换禪合作用更为有效，因而可W明显提高烧结钦铁棚磁体的矫顽力。在保 证磁体具有高矫顽力的前提下，大大降低烧结钦铁棚中重稀±的添加量，节约了成本、减少 了资源的浪费。
[OOU]作为优选，在步骤(1)中，所述薄片的厚度为小于10mm。
[0014] 作为优选，在步骤(2)中，所述钦铁棚表面的氧化皮包括钦铁棚磁体表面的氧化层 和油。
[0015] 作为优选，在步骤(3)中，所述的重稀±金属为铺或者铺中的一种。Dy、化是能显著 提高钦铁棚磁体性能的金属，Dy、化作为替代元素进入主相内，并且在主相的晶粒边界处进 行取代在主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大幅度提高而 剩磁几乎不变；同时，晶界Dy、Tb渗透后，晶界富稀±相更加连续、晶界更加清晰，对隔离交 换禪合作用更为有效，因而可W明显提高烧结钦铁棚磁体的矫顽力。
[0016] 作为优选，在步骤(4)中，所述真空渗透处理的时间为2~4小时
[0017] 作为优选，在步骤(5)中，所述真空时效处理的时间为2~8小时。
[0018] 本发明的有益效果是:磁体的矫顽力大大提高，剩磁基本不变，磁能积因为矫顽力 和方形度的提局而提局；对比传统方法制造同等矫顽力的钦铁棚磁体，在保证磁体具有局 矫顽力的前提下，大大降低烧结钦铁棚中重稀±的添加量，节约了成本、减少了资源的浪 费。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步的描述。
[0020] 实施例一：
[0021] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的工艺过程，依次包括W下步骤：
[0022] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 10mm X 2mm的薄片；
[0023] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0024] 3、在表面光洁的钦铁棚表面蒸锻一层金属铺；
[0025] 4、将蒸锻后的钦铁棚在900°C条件下真空渗透处理2小时；
[00%] 5、在500°C条件下真空时效处理4小时。
[0027]实施例二：
[00%] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的工艺过程，依次包括W下步骤：
[0029] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 8mm X 4mm的薄片；
[0030] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0031 ] 3、在表面光洁的钦铁棚表面蒸锻一层金属铺；
[0032] 4、将蒸锻后的钦铁棚在900°C条件下真空渗透处理3小时；
[0033] 5、在500°C条件下真空时效处4.5小时。
[0034] 比较例一：
[0035] -种钦铁棚磁体制备的工艺，依次包括W下步骤：
[0036] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 10mm X 2mm的薄片；
[0037] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0038] 4、将钦铁棚在900°C条件下真空处理2小时；
[0039] 5、在500°C条件下真空时效处理4小时。
[0040] 比较例二：
[0041] -种钦铁棚磁体制备的工艺，依次包括W下步骤：
[0042] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 8mm X 4mm的薄片；
[0043] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0044] 3、将钦铁棚在900°C条件下真空处理3小时；
[0045] 4、在500°C条件下真空时效处理4.5小时。
[0046] 实施例1与比较例1的磁体成分相同、尺寸一致，实施例2与比较例2的磁体成分相 同、尺寸一致，主要工艺差异在于是否经过蒸锻铺/铺，磁性能对比结果见表1。
[0047] 表1磁性能对比结果
[004引
[0049] ~可W看出，实施例1与比较例1的剩磁化相近，但内禀矫顽力Hcj实施例1要明显高' 于比较例1，运主要是由于实施例1经过蒸锻铺及真空渗透和时效处理后铺作为取代元素进 入主相晶粒边界及主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大幅 度提高。
[0050] 相比之下，实施例2比比较例2的内禀矫顽力He j提高幅度更大，运主要由于 Tb乐ei4B的各向异性场比Dy2Fei4B的各向异性场更大，经过蒸锻及渗透和时效处理后提升的 矫顽力效果更明显。
【主权项】
1. 一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，具体操作步骤如下： (1) 将钕铁硼磁体切成薄片； (2) 去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干； (3) 利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层重稀土金属； (4) 将蒸镀后的钕铁硼在800~950°C条件下真空渗透处理； (5) 然后在400~600°C的条件下真空时效处理。2. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(1)中， 所述薄片的厚度为小于l〇mm。3. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(2)中， 所述钕铁硼表面的氧化皮包括钕铁硼磁体表面的氧化层和油。4. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(3)中， 所述的重稀土金属为镝或者铽中的一种。5. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(4)中， 所述真空渗透处理的时间为2~4小时。6. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(5)中， 所述真空时效处理的时间为2~8小时。
【专利摘要】本发明公开了一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法。它具体操作步骤如下：将钕铁硼磁体切成薄片；去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干；利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层金属；将蒸镀后的钕铁硼在800～950℃条件下真空渗透处理；然后在400～600℃的条件下真空时效处理。本发明的有益效果是：磁体的矫顽力大大提高，剩磁基本不变，磁能积因为矫顽力和方形度的提高而提高；对比传统方法制造同等矫顽力的钕铁硼磁体，在保证磁体具有高矫顽力的前提下，大大降低烧结钕铁硼中重稀土的添加量，节约了成本、减少了资源的浪费。
【IPC分类】C23C14/58, H01F1/057, H01F41/02
【公开号】CN105489369
【申请号】CN201511018092
【发明人】洪群峰, 郝忠彬, 章晓峰, 黎龙贵
【申请人】浙江东阳东磁稀土有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月29日
【技术领域】
[0001] 本发明设及稀±永磁材料相关技术领域，尤其是指一种提高钦铁棚磁体矫顽力的 方法。
【背景技术】
[0002] 在现有技术中，为了提高钦铁棚磁体的矫顽力，采用Dy/Tb等重稀±元素部分置换 磁体中的Nd是一种显著有效的方法。Dy2Fei4B和化2Fei4B的各向异性场分别为15T和21T，远 高于NcbFewB的7.3T，Dy/Tb取代主相NcbFewB中的Nd后，生成的新相（Nd，Dy )2Fei4B和（Nd， 化)2化1巧的各向异性比主相大。
[0003] 但重稀±元素 Dy、Tb成本较高，铺的价格大约为Nd的5倍左右，而铺约为Nd的10倍 左右。因此像Dy、Tb运类能显著提高钦铁棚磁体性能的金属，它在磁体中的含量往往是决定 钦铁棚磁体原料成本的关键所在。
【发明内容】
[0004] 本发明是为了克服现有技术中存在上述的不足，提供了一种既降低重稀±添加量 又节约成本的提高钦铁棚磁体矫顽力的方法。
[0005] 为了实现上述目的，本发明采用W下技术方案：
[0006] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的方法，具体操作步骤如下：
[0007] (1)将钦铁棚磁体切成薄片；
[0008] (2)去除钦铁棚表面的氧化皮后烘干；
[0009] (3)利用蒸锻的方法在钦铁棚表面附上一层金属；
[0010] (4)将蒸锻后的钦铁棚在800~950°C条件下真空渗透处理；
[0011] (5)然后在400~600°C的条件下真空时效处理。
[0012] 本发明通过蒸锻的方法在薄片状钦铁棚磁体表面附上一层重稀±金属后，在合适 的溫度下进行真空渗透和时效处理重稀上金属作为替代元素进入主相内，并且在主相的晶 粒边界处进行取代在主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大 幅度提高而剩磁几乎不变。同时晶界被重稀±金属渗透后，晶界富稀±相更加连续、晶界更 加清晰，对隔离交换禪合作用更为有效，因而可W明显提高烧结钦铁棚磁体的矫顽力。在保 证磁体具有高矫顽力的前提下，大大降低烧结钦铁棚中重稀±的添加量，节约了成本、减少 了资源的浪费。
[OOU]作为优选，在步骤(1)中，所述薄片的厚度为小于10mm。
[0014] 作为优选，在步骤(2)中，所述钦铁棚表面的氧化皮包括钦铁棚磁体表面的氧化层 和油。
[0015] 作为优选，在步骤(3)中，所述的重稀±金属为铺或者铺中的一种。Dy、化是能显著 提高钦铁棚磁体性能的金属，Dy、化作为替代元素进入主相内，并且在主相的晶粒边界处进 行取代在主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大幅度提高而 剩磁几乎不变；同时，晶界Dy、Tb渗透后，晶界富稀±相更加连续、晶界更加清晰，对隔离交 换禪合作用更为有效，因而可W明显提高烧结钦铁棚磁体的矫顽力。
[0016] 作为优选，在步骤(4)中，所述真空渗透处理的时间为2~4小时
[0017] 作为优选，在步骤(5)中，所述真空时效处理的时间为2~8小时。
[0018] 本发明的有益效果是:磁体的矫顽力大大提高，剩磁基本不变，磁能积因为矫顽力 和方形度的提局而提局；对比传统方法制造同等矫顽力的钦铁棚磁体，在保证磁体具有局 矫顽力的前提下，大大降低烧结钦铁棚中重稀±的添加量，节约了成本、减少了资源的浪 费。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合【具体实施方式】对本发明做进一步的描述。
[0020] 实施例一：
[0021] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的工艺过程，依次包括W下步骤：
[0022] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 10mm X 2mm的薄片；
[0023] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0024] 3、在表面光洁的钦铁棚表面蒸锻一层金属铺；
[0025] 4、将蒸锻后的钦铁棚在900°C条件下真空渗透处理2小时；
[00%] 5、在500°C条件下真空时效处理4小时。
[0027]实施例二：
[00%] -种提高钦铁棚磁体矫顽力的工艺过程，依次包括W下步骤：
[0029] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 8mm X 4mm的薄片；
[0030] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0031 ] 3、在表面光洁的钦铁棚表面蒸锻一层金属铺；
[0032] 4、将蒸锻后的钦铁棚在900°C条件下真空渗透处理3小时；
[0033] 5、在500°C条件下真空时效处4.5小时。
[0034] 比较例一：
[0035] -种钦铁棚磁体制备的工艺，依次包括W下步骤：
[0036] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 10mm X 2mm的薄片；
[0037] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0038] 4、将钦铁棚在900°C条件下真空处理2小时；
[0039] 5、在500°C条件下真空时效处理4小时。
[0040] 比较例二：
[0041] -种钦铁棚磁体制备的工艺，依次包括W下步骤：
[0042] 1、将烧结钦铁棚磁体切成外形尺寸为5mm X 8mm X 4mm的薄片；
[0043] 2、去除钦铁棚磁体表面的氧化层和油，烘干待用；
[0044] 3、将钦铁棚在900°C条件下真空处理3小时；
[0045] 4、在500°C条件下真空时效处理4.5小时。
[0046] 实施例1与比较例1的磁体成分相同、尺寸一致，实施例2与比较例2的磁体成分相 同、尺寸一致，主要工艺差异在于是否经过蒸锻铺/铺，磁性能对比结果见表1。
[0047] 表1磁性能对比结果
[004引
[0049] ~可W看出，实施例1与比较例1的剩磁化相近，但内禀矫顽力Hcj实施例1要明显高' 于比较例1，运主要是由于实施例1经过蒸锻铺及真空渗透和时效处理后铺作为取代元素进 入主相晶粒边界及主相外部形成一个连续的、高重稀±含量的区域，使磁体的矫顽力大幅 度提高。
[0050] 相比之下，实施例2比比较例2的内禀矫顽力He j提高幅度更大，运主要由于 Tb乐ei4B的各向异性场比Dy2Fei4B的各向异性场更大，经过蒸锻及渗透和时效处理后提升的 矫顽力效果更明显。
【主权项】
1. 一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，具体操作步骤如下： (1) 将钕铁硼磁体切成薄片； (2) 去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干； (3) 利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层重稀土金属； (4) 将蒸镀后的钕铁硼在800~950°C条件下真空渗透处理； (5) 然后在400~600°C的条件下真空时效处理。2. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(1)中， 所述薄片的厚度为小于l〇mm。3. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(2)中， 所述钕铁硼表面的氧化皮包括钕铁硼磁体表面的氧化层和油。4. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(3)中， 所述的重稀土金属为镝或者铽中的一种。5. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(4)中， 所述真空渗透处理的时间为2~4小时。6. 根据权利要求1所述的一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法，其特征是，在步骤(5)中， 所述真空时效处理的时间为2~8小时。
【专利摘要】本发明公开了一种提高钕铁硼磁体矫顽力的方法。它具体操作步骤如下：将钕铁硼磁体切成薄片；去除钕铁硼表面的氧化皮后烘干；利用蒸镀的方法在钕铁硼表面附上一层金属；将蒸镀后的钕铁硼在800～950℃条件下真空渗透处理；然后在400～600℃的条件下真空时效处理。本发明的有益效果是：磁体的矫顽力大大提高，剩磁基本不变，磁能积因为矫顽力和方形度的提高而提高；对比传统方法制造同等矫顽力的钕铁硼磁体，在保证磁体具有高矫顽力的前提下，大大降低烧结钕铁硼中重稀土的添加量，节约了成本、减少了资源的浪费。
【IPC分类】C23C14/58, H01F1/057, H01F41/02
【公开号】CN105489369
【申请号】CN201511018092
【发明人】洪群峰, 郝忠彬, 章晓峰, 黎龙贵
【申请人】浙江东阳东磁稀土有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年12月29日
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