变容二极管制作的调频无线话筒的制作方法
专利名称：变容二极管制作的调频无线话筒的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子技术与通信技术领域，是关于一种变容二极管制作的调频无线话筒。
背景技术：
市场上多数调频无线话筒的工作原理是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容实现调频的，当声音电压信号加到晶体管的基极时，晶体管的基极与发射极之间电容会随着声音电压信号大小而同步发生变化，同时使晶体管的发射频率发生变化，进而实现对频率的调制。本实用新型的核心元件是变容二极管，音频信号使变容二极管的容量随着音频电压的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。以下详细说明这种变容二极管制作的调频无线话筒在制作过程中所涉及的有关技术内容。
实用新型内容发明目的及有益效果本实用新型目的在于克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本实用新型利用变容二极管，使变容二极管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。本调频发射器还具有制作简单、成本低、性能可靠等特点。电路工作原理该调频无线发射器由低频放大电路、低通滤波电路、变容二极管及偏置电路、振荡及高频放大电路组成。驻极体话筒MIC产生的音频信号由PNP硅晶体管BGl 放大后，送至变容二极管D1，使其容量随着音频信号的变化而变化，接着通过PNP硅晶体管 BG2组成的振荡电路进行调频，已调频的射频信号由振荡线圈L2向空中辐射。该振荡电路消除了采用PNP硅晶体管的结电容调频容易产生寄生调幅现象。技术方案变容二极管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二极管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成，其特征包括音频拾取及音频放大电路PNP硅晶体管BGl的基极与电解电容Cl的负极、电阻 Rl的一端相连，电解电容Cl的正极接驻极体话筒MIC的输出端，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻Rl的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的发射极接电路地GND ；稳幅电路电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈Ll的一端相连，电阻 R3的另一端接电路正极VCC，电感线圈Ll的另一端接变容二极管Dl的负极；变容二极管偏置电路变容二极管Dl的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连，电阻R4的另一端接电路正极VCC，电阻R5的另一端接电路地GND ； 振荡电路及高频放大电路PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连，电阻R6的另一端接电路正极VCC，电阻R7的另一端接电路地GND，PNP硅晶体管 BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连，电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，PNP 硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端接电路地GND。6V直流电源DC的正极与电路正极VCC相连，6V直流电源DC的负极与电路地GND 相连。
附图1是本实用新型提供一个变容二极管制作的调频无线话筒的实施例电路工作原理图；要求驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND。
具体实施方式
按照附图1所示变容二极管制作的调频无线话筒的电路工作原理图和附图说明及以下所述的元器件技术要求实施，即可实现本实用新型。元器件的选择及其技术参数BGl为PNP硅晶体管，型号2SC9014，要求β彡200 ;BG2为PNP硅晶体管，要求 2SC9018等型号，特征频率要求彡350MHz ；Dl为变容二极管；电阻均使用RTX-1/8W型金属膜电阻，电阻Rl的阻值470ΚΩ，电阻R2的阻值 800 Ω，电阻R3的阻值100Κ Ω，电阻R4的阻值2 Ω，电阻R5阻值56Κ Ω，电阻R6的阻值 12Κ Ω，电阻R7的阻值4. 7Κ Ω，电阻R8的阻值330 Ω ；Cl C2为CD11-25V型电解电容，容量分别为22yF,2. 2yF ；C3、C4为优质瓷片电容，容量为5. 1PF;MIC为话筒，选用两输出端子的驻极体话筒，其外壳接电路地GND。元器件的制作制作本装置的电路时，要求电路板使用高频信号损耗小的环氧树脂板。电感线圈Ll用<2 0. 25 0. 3mm的漆包线，在1/4W、阻值大于120ΚΩ的碳膜电阻上分层平绕100匝，两个接头焊于100KΩ电阻的两端。振荡线圈L2用<2 Imm的漆包线，在C 8mm圆棒上平绕5匝，脱胎成空心。电路的调整该无线话筒接上6V直流电源，测量PNP硅晶体管BGl发射极对地应有0. 7 0. 8V 的电压，否则应调整电阻Rl ；测量PNP硅晶体管BG2发射极对地应有1. 8 2V的直流电压， 若不在范围应调整电阻R6;再测变容二极管两端应无电压，或变容二极管两端的电压差小于0. 28V,若其两端压差偏大，应调整电阻R3或电阻R4。上述内容调整结束后，用调频收音机应收到发射器发射的信号，发射器远离调频收音机15m以上的距离，若收不到发射器发送的信号，可调整振荡线圈L2，拉伸振荡线圈L2 基波频率上升，压缩振荡线圈L2基波频率下降，使发射器发射的频率避开当地电台，又能可靠接收为准，本发射器无需外接天线。调试好后，振荡线圈L2采用优质高频蜡封固。[0028]驻极体在话筒MIC输入音频信号的同时，仔细调整交流负反馈回路中的电位器RP 的阻值，使音频信号在最大音量时不失真为准。将音频输入端接于电视机的音频输出端，其清晰、稳定的音质效果与调频电台的信号几乎没有区别。无线话筒在以上项目调整结束后，将其装入尺寸合适的塑料内，切不可使用金属盒。用6V供电时，其发射距离可达IOOm以上，无线话筒改用5V供电时，发射距离约为40m。
权利要求1.一种变容二极管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二极管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成，其特征包括音频拾取及音频放大电路中的PNP硅晶体管BGl的基极与电解电容Cl的负极、电阻Rl的一端相连，电解电容Cl的正极接驻极体话筒MIC的输出端，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻Rl的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的发射极接电路地GND ；稳幅电路中的电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈Ll的一端相连，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电感线圈Ll的另一端接变容二极管Dl的负极；变容二极管偏置电路中的变容二极管Dl的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连，电阻R4另一端接电路正极VCC，电阻R5另一端接电路地GND ；振荡电路及高频放大电路中PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连，电阻R6的另一端接电路正极VCC，电阻R7的另一端接电路地GND，PNP硅晶体管BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连，电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，PNP硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端接电路地GND。
2.根据权利要求1所述的变容二极管制作的调频无线话筒，其特征是6V直流电源DC的正极与电路正极VCC相连，6V直流电源DC的负极与电路地GND相连。
专利摘要本实用新型变容二级管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成。本实用新型克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本实用新型使变容二级管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。
文档编号H04R3/00GK202334838SQ201120497159
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月4日 优先权日2011年12月4日
发明者李宁杭 申请人:李宁杭
技术领域：
本实用新型属于电子技术与通信技术领域，是关于一种变容二极管制作的调频无线话筒。
背景技术：
市场上多数调频无线话筒的工作原理是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容实现调频的，当声音电压信号加到晶体管的基极时，晶体管的基极与发射极之间电容会随着声音电压信号大小而同步发生变化，同时使晶体管的发射频率发生变化，进而实现对频率的调制。本实用新型的核心元件是变容二极管，音频信号使变容二极管的容量随着音频电压的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。以下详细说明这种变容二极管制作的调频无线话筒在制作过程中所涉及的有关技术内容。
实用新型内容发明目的及有益效果本实用新型目的在于克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本实用新型利用变容二极管，使变容二极管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。本调频发射器还具有制作简单、成本低、性能可靠等特点。电路工作原理该调频无线发射器由低频放大电路、低通滤波电路、变容二极管及偏置电路、振荡及高频放大电路组成。驻极体话筒MIC产生的音频信号由PNP硅晶体管BGl 放大后，送至变容二极管D1，使其容量随着音频信号的变化而变化，接着通过PNP硅晶体管 BG2组成的振荡电路进行调频，已调频的射频信号由振荡线圈L2向空中辐射。该振荡电路消除了采用PNP硅晶体管的结电容调频容易产生寄生调幅现象。技术方案变容二极管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二极管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成，其特征包括音频拾取及音频放大电路PNP硅晶体管BGl的基极与电解电容Cl的负极、电阻 Rl的一端相连，电解电容Cl的正极接驻极体话筒MIC的输出端，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻Rl的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的发射极接电路地GND ；稳幅电路电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈Ll的一端相连，电阻 R3的另一端接电路正极VCC，电感线圈Ll的另一端接变容二极管Dl的负极；变容二极管偏置电路变容二极管Dl的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连，电阻R4的另一端接电路正极VCC，电阻R5的另一端接电路地GND ； 振荡电路及高频放大电路PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连，电阻R6的另一端接电路正极VCC，电阻R7的另一端接电路地GND，PNP硅晶体管 BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连，电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，PNP 硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端接电路地GND。6V直流电源DC的正极与电路正极VCC相连，6V直流电源DC的负极与电路地GND 相连。
附图1是本实用新型提供一个变容二极管制作的调频无线话筒的实施例电路工作原理图；要求驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND。
具体实施方式
按照附图1所示变容二极管制作的调频无线话筒的电路工作原理图和附图说明及以下所述的元器件技术要求实施，即可实现本实用新型。元器件的选择及其技术参数BGl为PNP硅晶体管，型号2SC9014，要求β彡200 ;BG2为PNP硅晶体管，要求 2SC9018等型号，特征频率要求彡350MHz ；Dl为变容二极管；电阻均使用RTX-1/8W型金属膜电阻，电阻Rl的阻值470ΚΩ，电阻R2的阻值 800 Ω，电阻R3的阻值100Κ Ω，电阻R4的阻值2 Ω，电阻R5阻值56Κ Ω，电阻R6的阻值 12Κ Ω，电阻R7的阻值4. 7Κ Ω，电阻R8的阻值330 Ω ；Cl C2为CD11-25V型电解电容，容量分别为22yF,2. 2yF ；C3、C4为优质瓷片电容，容量为5. 1PF;MIC为话筒，选用两输出端子的驻极体话筒，其外壳接电路地GND。元器件的制作制作本装置的电路时，要求电路板使用高频信号损耗小的环氧树脂板。电感线圈Ll用<2 0. 25 0. 3mm的漆包线，在1/4W、阻值大于120ΚΩ的碳膜电阻上分层平绕100匝，两个接头焊于100KΩ电阻的两端。振荡线圈L2用<2 Imm的漆包线，在C 8mm圆棒上平绕5匝，脱胎成空心。电路的调整该无线话筒接上6V直流电源，测量PNP硅晶体管BGl发射极对地应有0. 7 0. 8V 的电压，否则应调整电阻Rl ；测量PNP硅晶体管BG2发射极对地应有1. 8 2V的直流电压， 若不在范围应调整电阻R6;再测变容二极管两端应无电压，或变容二极管两端的电压差小于0. 28V,若其两端压差偏大，应调整电阻R3或电阻R4。上述内容调整结束后，用调频收音机应收到发射器发射的信号，发射器远离调频收音机15m以上的距离，若收不到发射器发送的信号，可调整振荡线圈L2，拉伸振荡线圈L2 基波频率上升，压缩振荡线圈L2基波频率下降，使发射器发射的频率避开当地电台，又能可靠接收为准，本发射器无需外接天线。调试好后，振荡线圈L2采用优质高频蜡封固。[0028]驻极体在话筒MIC输入音频信号的同时，仔细调整交流负反馈回路中的电位器RP 的阻值，使音频信号在最大音量时不失真为准。将音频输入端接于电视机的音频输出端，其清晰、稳定的音质效果与调频电台的信号几乎没有区别。无线话筒在以上项目调整结束后，将其装入尺寸合适的塑料内，切不可使用金属盒。用6V供电时，其发射距离可达IOOm以上，无线话筒改用5V供电时，发射距离约为40m。
权利要求1.一种变容二极管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二极管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成，其特征包括音频拾取及音频放大电路中的PNP硅晶体管BGl的基极与电解电容Cl的负极、电阻Rl的一端相连，电解电容Cl的正极接驻极体话筒MIC的输出端，驻极体话筒MIC的外壳接电路地GND，电阻Rl的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的集电极接电解电容C2的正极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，PNP硅晶体管BGl的发射极接电路地GND ；稳幅电路中的电解电容C2的负极与电阻R3的一端及电感线圈Ll的一端相连，电阻R3的另一端接电路正极VCC，电感线圈Ll的另一端接变容二极管Dl的负极；变容二极管偏置电路中的变容二极管Dl的正极与电阻R4的一端及电阻R5的一端相连，电阻R4另一端接电路正极VCC，电阻R5另一端接电路地GND ；振荡电路及高频放大电路中PNP硅晶体管BG2的基极与电阻R6的一端及电阻R7的一端相连，电阻R6的另一端接电路正极VCC，电阻R7的另一端接电路地GND，PNP硅晶体管BG2的集电极与电容C4的一端、振荡线圈L2的一端、电容C3的一端相连，电容C4的另一端、振荡线圈L2的另一端接电路正极VCC，电容C3的另一端接变容二极管Dl的负极，PNP硅晶体管BG2的发射极与电阻R8的一端相连，电阻R8的另一端接电路地GND。
2.根据权利要求1所述的变容二极管制作的调频无线话筒，其特征是6V直流电源DC的正极与电路正极VCC相连，6V直流电源DC的负极与电路地GND相连。
专利摘要本实用新型变容二级管制作的调频无线话筒，由6V直流电源DC、音频拾取及音频放大电路、稳幅电路、变容二级管偏置电路、振荡电路及高频放大电路组成。本实用新型克服了多数调频无线话筒的调频工作是通过改变晶体管的基极和发射极之间电容来实现调频，这种调频方式存在着易产生寄生调幅现象，且谐波成分多等缺陷。本实用新型使变容二级管的容量随着音频信号的变化而变化，然后将音频信号加载到振荡电路中，从而实现了调频。该发射器无需外接天线，大大方便了用户的使用。
文档编号H04R3/00GK202334838SQ201120497159
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月4日 优先权日2011年12月4日
发明者李宁杭 申请人:李宁杭
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